KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V（200mΩ）氮化鎵（GaN）。它是一款常關(guān)器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結(jié)合，提供卓越的可靠性和性能。應(yīng)用于快速充電器、通訊電源、數(shù)據(jù)中心、燈光等領(lǐng)域。
注：其他封裝方式（220，252）后續(xù)陸續(xù)推出
產(chǎn)品封裝如圖所示：
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的GaN技術(shù)
2、動(dòng)態(tài)RDS（on）off生產(chǎn)測(cè)試
3、寬門安全裕度
4、具有反向?qū)芰?/span>
5、低柵極電荷
6、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素包裝
7、提高硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率（增加功率密度、減小系統(tǒng)尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本較低）
8、使用的蹦極驅(qū)動(dòng)器即可輕松驅(qū)動(dòng)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
工藝簡(jiǎn)單、可靠性高，良率高，有著極高的開關(guān)頻率，極低的柵極電荷、輸出電荷，保證了高頻開關(guān)需求的同時(shí)，有效降低了系統(tǒng)能耗以及開關(guān)能耗。該產(chǎn)品Vgs耐壓±20V，動(dòng)態(tài)電阻小<1.1，驅(qū)動(dòng)兼容傳統(tǒng)Si MOS。
開關(guān)時(shí)間測(cè)試電路如圖所示
瞬態(tài)熱阻如圖所示
電氣典型輸出特性（TC=25℃）如圖所示
應(yīng)用場(chǎng)景：
1、新型電子器件
GaN材料具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。
2、 光電器件
GaN材料是一種理想的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍
